2025年12月6日より10日にかけて、サンフランシスコで毎年恒例の IEDM (International Electron Devices Meeting) ...

シリコンファウンダリ(半導体製造請け負いサービス)大手のGLOBALFOUNDRIESは5月31日に東京で報道機関およびアナリスト向けの説明会を開催。GLOBALFOUNDRIESでCMOS事業部門担当シニアバイスプレジデントをつとめるGregg Bartlett氏が、同社の製造技術ロードマップを ...

韓国のSamsung Electronicsは、微細加工にEUV(Extreme Ultra-Violet:極端紫外線)リソグラフィを採用した7nm世代のFinFET技術を開発し、その概要を国際学会「VLSI技術シンポジウム」で6月7日に公表した(講演番号T6-1)。 Samsung Electronicsはかねてから、7nm世代のロジック量産に ...

東芝は18日、32nmプロセス世代以降のLSIでの適用が検討されている立体構造トランジスタ(FinFET)の電流性能向上と低消費電力化を両立させる手法を開発したと発表した。 開発された手法は、従来のトランジスタの性能向上に用いられる「歪みSiチャネル技術 ...

iPhone、Mac、iPadは今が買い時なのか、それとも待ったほうがいいのか。メモリー高騰の影響、大幅なコスト上昇を伴う2nmプロセスへの移行、新製品の噂も手掛かりに、2026年のApple製品選びの判断軸を整理します。

FinFETの発明が日本人って知ってるかい？ 2年くらい続いた半導体不足がさまざまな産業に影響を与えたせいか、半導体の専門用語であるFinFETという言葉を専門家ではない方たちまでが使うようになってきた。このFinFETとは、半導体集積回路（IC）の基本 ...

TSMC 3nmが微妙なのはFinFETの限界？一方でサムスンは4nmで苦労したGAAを3nmに適用する事でTSMCを猛追へ TSMCではここ最近発売されているスマートフォン向けSoCからPC向けのCPUやGPUにおいて採用されており、その主な理由は競合のサムスンに比べて高い歩留りと性能 ...

FD SOIへの自信を示したMWC2013でのSTマイクロエレクトロニクス インテルは22nm FinFETプロセスで製造した高性能マイクロプロセッサHaswellなどを1億個出荷したと言ってきた。ところが、その次の14/16nm FinFETプロセスでは生産を遅らせるという決定を最近行ったよう ...

GLOBALFOUNDRIES（以下 GF）は、 プレミアム・モバイル・プロセッサ製品、クラウド・サーバやネットワーキング・インフラストラクチャなどのアプリケーションでの性能要求を満たすために基本性能を40パーセント向上させた、7LP（7nm Leading-Performance）FinFET ...

解析の結果、FinFETの特性ばらつきを支配する要因は、ゲート長やフィン厚さ、ゲート絶縁膜厚さなどのばらつきではなく、メタル・ゲートの仕事関数のばらつきであることが判明した。

バルクFinFETによる16nmプロセスの発表である。 800人以上が入るような広い会場がほぼ満席となる盛況ぶりだった。 TSMCが前回発表した16nm FinFETプロセスからは大幅な改良がなされており、同社はこれを「第二世代FinFET」と呼ぶ。