1. 電流の時間変動を、従来の1000分の1以下に抑制 2. 理想的な0Vのヒステリシス特性を達成 国立大学法人 大阪大学（以下「大阪大学」という）産業科学研究所 松本 和彦 教授は、独立行政法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という ...

国立大学法人 大阪大学（以下「大阪大学」という）産業科学研究所 松本 和彦 教授は、独立行政法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）ナノテクノロジー研究部門（部門長 横山浩）と独立行政法人 科学技術振興機構（理事長 沖村憲樹）と共同 ...

次世代の半導体材料として期待されるカーボンナノチューブ(CNT : Carbon NanoTube)を使ったトランジスタ回路が、大規模集積回路(LSI : Large Scale Integrated circuits)の時代に突入した。この6月に京都で開催された半導体技術の国際学会「VLSIシンポジウム」で、数千個の ...

現在主流となっているシリコンチップに代わるものを探し出す取り組みのなかで、IBMの研究者らはカーボンナノチューブ（CNT）技術を大きく進展させた。 カーボンナノチューブは、格子状に結合した炭素原子からなる円筒型の微細構造体である。IBMが米国 ...

IBMの研究者は、1月発行のNano Lettersに掲載した研究論文で、10ナノメートルよりも小さいカーボンナノチューブを用いたトランジスタの性能がシリコンを上回ることを突き止めたと発表した。このようなトランジスタは非常に低い電圧で動作するため、低消費 ...

室温で量子輸送可能な2.8nmのカーボンナノチューブトランジスタ ～熱・応力誘起らせん構造転移による金属CNT内半導体ナノチャネルの実現～ 概要 1.国立研究開発法人物質・材料研究機構（NIMS）を中心とする国際共同研究チームは、透過型電子顕微鏡（TEM ...

現在の主力の半導体はシリコンを使用したものだが、そのトランジスタのさらなる微細化は困難な状況にある。次世代半導体材料として注目されているカーボンナノチューブは、シリコンに対して約10倍のエネルギー効率と高速性を有しており、CNFETを実用化 ...

米IBMは10月1日（現地時間）、シリコン製トランジスタに代わるカーボンナノチューブ製トランジスタの研究で、大きなブレイクスルーを生み出したと発表した。 同社は昨年、小型化の限界に近づいているシリコンに代わる新素材の研究開発に向こう5年間で30 ...

NECはカーボンナノチューブ（筒状炭素分子）製の高性能トランジスタをインクジェット印刷で製造する技術を開発した。従来の印刷技術に比べて細かい回路を作れ、トランジスタの性能向上につながるという。プラスチックの基板に印刷すれば、薄く曲げ ...

国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノチューブ実用化研究センター【研究センター長 畠 賢治】CNT用途チーム 関口 貴子 主任研究員、田中 文昭 元産総研特別研究員は、衣類のように柔らかく、さまざまな ...

次世代の半導体材料と考えられる「カーボンナノチューブ」を使って、シリコン製トランジスタよりも高速＆省電力なカーボンナノチューブ製トランジスタの製作にアメリカの研究者が成功しました。 カーボンナノチューブは炭素原子が正六角形を作り ...