Intelは、45nmプロセスによる低消費電力版SoC技術を開発し、その概要をIEDM 2008で発表した(講演番号27.4)。x86互換の低消費電力プロセッサ「Atom」をベースにしたCPUコアを内蔵するSoCなどに向けたものとみられる。 Intelは2008年に、同社としては初めてのx86互換CPU ...

300 mmウエハーの共用パイロットラインで新規装置・材料の技術検証が可能に 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構）助成事業の元、国内 ...

2025年(今年)は「FET(Field Effect Transistor: 電界効果トランジスタ)」が誕生してから100周年に当たるという。トランジスタと言えば、1947年12月に通称「ベル研」、厳密には「ベル電話研究所(BTL: Bell ...

・ 独自技術で構成された、最先端半導体製造装置を有する共用パイロットラインを国内で初めて構築 共用可能なプロセスで、最先端ロジック半導体で使用されるゲートオールアラウンド（GAA）構造 ・ トランジスタの試作が可能に ・ 共用パイロットライン ...

物質・材料研究機構(NIMS)と東京理科大学(理科大)は3月10日、有機トランジスタ「アンチ・アンバイポーラトランジスタ」(AAトランジスタ)をデュアルゲート型トランジスタに拡張し、5つの2入力論理演算回路(AND、OR、NAND、NOR、XOR)を単一トランジスタで実証し ...

ロジック半導体の性能向上の鍵となるトランジスタ材料を開発 −2次元材料MoS2と層状Sb2Te3での低コンタクト抵抗の実現− ＜ポイント＞ スパッタリング法で、原子レベルで制御されたSb2Te3層状物質を形成 MoS2との異種層状物質界面(ファンデルワールス ...

1974年のAltair8800から、AppleII/PET 2001/TRS80のパソコン御三家（米国ではホームコンピュータと呼ばれることが多かった）、国内では、ベーシックマスター（日立）、MZ-80K（シャープ）、PC-8001（NEC）といった8bit BASICマシン（当時まだマイコンという呼び名が残っ ...