＊新しい3.0V 1Gb-4Gb密度2KB/4KBページの第1世代シリアル（SPI）NANDおよび1Gb-4Gb密度2KBページの第3世代パラレルNAND、高度な ...

組込みメモリ開発のフローディアが開発する高品質フラッシュメモリが、 中国ファウンドリ大手HHGraceの180nmBCDプロセスで利用可能に 株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）は、自社が開発した高 ...