IEEE

Analytical evaluation of IGBT turn-on loss with double pulse testing

Abstract: Traditional IGBT turn-on loss evaluation methods are curve fitting of double pulse test data without insight of IGBT turn-on process. This paper proposed an analytical evaluation method of ...
IEEE

Junction Temperature Monitoring of IGBT Module Using Industrial Digital Twin

Abstract: Accurate junction temperature prediction in multichip insulated gate bipolar transistor (IGBT) modules is paramount for ensuring the reliability and efficiency of power electronic systems.
日本経済新聞

三菱電機、パワー半導体「産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール」を ...

新開発の第8世代IGBTを搭載し、再生可能エネルギー用電源システムの低消費電力化に貢献 ＊参考画像は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用 ...
PR TIMES

パワー半導体「産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュール」サンプル提供 ...

産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュール CM1800DW-24ME 三菱電機株式会社は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用LV100タイプ 1.2kV IGBT（※1）モジュール」のサンプル提供を2月15日に開始します。
Oak Ridge National Lab

Testing Single Phase IGBT H-Bridge Switch Plates for the High Voltage Converter Modulator ...

Three IGBT H-bridge switching networks are used in each High Voltage Converter Modulator (HVCM) system at the Spallation Neutron Source (SNS) to generate drive currents to three boost transformer ...
EDN

IGBT Primer

IGBT, stands for Insulated Gate Bipolar Transistor. It is a bipolar transistor with an insulated gate terminal. It combines a control input with a MOS structure and a bipolar power transistor in a ...