開発中のIGBTモジュールHybridPACK Driveは、放熱効果のある (熱伝導率の高い)銅板をベースにする (図7)。 セラミックの両面に銅板を付着させ、表面を回路配線用のパターニングをしておく。 裏面は放熱として利用する。

Abstract: The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is a core component in power electronic systems. The inevitable trend towards higher power density and reliability in future power electronic ...

オンセミ（本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、最新世代のフィールドストップ7（FS7）絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）技術を採用したインテリジェントパワーモジュール（IPM）の新しい1200V「SPM31」製品ファミリを発表しました。

A lack of planarity along the interface between the solder and the ceramic raft in an IGBT module is a common anomaly that can make heat dissipation uneven across the die and cause the die to crack.

The MIXD600PF650TSF is a 600-V, 650-A IGBT module in the SimBus-F outline featuring high level of integration with only one power semiconductor module required for the whole drive. It is designed for ...

InfineonTechnologiesは、同社のIGBTモジュールの次世代製品「PrimePACK 3パッケージング」として1400A/1700Vモジュールを、また ...