東芝は、次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるGaNパワーデバイス向けに、信頼性向上に繋がるゲート絶縁膜プロセス技術を開発したことを発表した。この技術により、しきい値電圧変動等の特性変動が大幅に低減できる。 スイッチング電源や ...

SiC-MOSFETの抵抗を低減するゲート絶縁膜プロセス技術の実デバイスへの適用に成功 －電力消費量およびCO2排出量の低減に貢献する次世代パワーデバイス技術の開発が前進－ 当社は、次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるSiC-MOSFET向けに開発してきた ...

SiC-MOSFETの抵抗を低減するゲート絶縁膜プロセス技術を開発 概要 当社は、次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるSiC-MOSFET向けに、新しいゲート絶縁膜プロセス技術を開発しました。本技術を適用することで、デバイス内部の電流経路の一部である ...

東芝は、次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるSiC-MOSFET向けに、ゲート絶縁膜プロセス技術を開発したと発表した。同技術を適用することで、デバイス内部の電流経路の一部であるチャネル領域の抵抗を約40%低減できるという。これにより、素子 ...

米IBMとシンガポールの半導体ファウンダリChartered Semiconductor Manufacturing、Samsung、AMDらは15日(日本時間)、「High-Kメタルゲート」(高誘電率ゲート絶縁膜)を導入した32nmプロセスの評価キットが利用可能になったと発表した。 同アライアンスは2007年1月にHigh-K ...

～電力消費量およびCO2排出量の低減に貢献する次世代パワーデバイス技術の開発が前進～ 当社は、次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるSiC-MOSFET向けに開発してきたゲート絶縁膜プロセス技術をさらに発展させ、今回、実際の縦型デバイスに適用 ...

－究極のMOSFETと言われるダブルゲートMOSFETの実用化に先鞭－ 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【部門長 伊藤 順司】は、従来のCMOS作製技術に、新開発のイオン照射減速エッチング ...