2025年10月21日に、GlobaI Info Research（所在地：東京都中央区）は、「絶縁ゲートバイポーラトランジスタによる静的同期補償装置の世界市場2025年：メーカー、地域別、タイプ、用途別、2031年までの予測」の最新調査レポートを発表しました。本レポートでは ...

2024年11月21日に、QYResearchは「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ （IGBT） モジュール―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2024～2030」の調査資料を発表しました。本レポートは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ （IGBT ...

2011年5月4日、Intelは次世代の22nmプロセスではトライゲート(Tri-gate)トランジスタを採用すると発表した。同Tri-gateトランジスタのプレゼン資料はIntelのWebサイト(注:リンク先はPDF)に公開されている。 これまでの一般的なMOSトランジスタは、図1のようにシリコン ...

ローレンス・バークレー国立研究所らの研究チームは、ゲート長1nmのトランジスタを作製し、デバイス動作を実証したと発表した。これまで報告された中では最小のトランジスタとなる。 最近10年ほどの間に、半導体デバイスの微細化は限界に近づきつつ ...