シリコンファウンダリ(半導体製造請け負いサービス)大手のGLOBALFOUNDRIESは5月31日に東京で報道機関およびアナリスト向けの説明会を開催。GLOBALFOUNDRIESでCMOS事業部門担当シニアバイスプレジデントをつとめるGregg Bartlett氏が、同社の製造技術ロードマップを ...

東芝は18日、32nmプロセス世代以降のLSIでの適用が検討されている立体構造トランジスタ(FinFET)の電流性能向上と低消費電力化を両立させる手法を開発したと発表した。 開発された手法は、従来のトランジスタの性能向上に用いられる「歪みSiチャネル技術 ...

FinFETの発明が日本人って知ってるかい？ 2年くらい続いた半導体不足がさまざまな産業に影響を与えたせいか、半導体の専門用語であるFinFETという言葉を専門家ではない方たちまでが使うようになってきた。このFinFETとは、半導体集積回路（IC）の基本 ...

5nmプロセス世代のトランジスタは、現在とは大きく構造が変わる可能性がある。現在のトランジスタは、魚のフィン(ヒレ)を立てたような「FinFET」を使っている。しかし、5nm以降のプロセスでは、細いチューブを縦に並べたような「Nanowire(ナノワイヤ)」や ...

HSINCHU, Taiwan, R.O.C., Feb. 3, 2023 – TSMC today announced the launch of its “TSMC University FinFET Program,” aimed at developing future IC design talent for the industry and empowering academic ...

FD SOIへの自信を示したMWC2013でのSTマイクロエレクトロニクス インテルは22nm FinFETプロセスで製造した高性能マイクロプロセッサHaswellなどを1億個出荷したと言ってきた。ところが、その次の14/16nm FinFETプロセスでは生産を遅らせるという決定を最近行ったよう ...

FinFET devices were developed to address the need for improved gate control to suppress leakage current (IOFF); DIBL (drain-induced barrier lowering); and process‐induced variability below ...

微細化は、EUVリソグラフィの導入といった製造技術の革新だけではなく、設計上の工夫によってももたらされる。セルライブラリのトラック数を減少させ、セルの高さを低めてセル専有面積を縮小する手法である。 図1は、前回も示したimecの高性能ロジック ...

半導体の最先端を台湾のTSMCが走っていることが知られるようになった。7nmや5nmといった先端の半導体に集積されるトランジスタがFinFETであることは一般にも知られるようになった。しかし、その先端のMOSトランジスタが実は日本人の発明であることは一般に ...

TSMC 3nmが微妙なのはFinFETの限界？一方でサムスンは4nmで苦労したGAAを3nmに適用する事でTSMCを猛追へ TSMCではここ最近発売されているスマートフォン向けSoCからPC向けのCPUやGPUにおいて採用されており、その主な理由は競合のサムスンに比べて高い歩留りと性能 ...