"FeRAM 市場概要 2023-2028: FeRAM市場調査レポートがリリースされたばかりで、FeRAM市場の最新の傾向と開発に関する貴重な洞察を提供します。 このレポートは、市場の現状の包括的な分析を提供し、市場規模、成長の可能性、主要なプレーヤー、および成長と ...

imecは、開催中のIEEE IEDM 2022にて招待講演3件を含め、合計21件の発表を行っている。その中の1つにFeRAMの特性改善に関する発表がある。 具体的には、高耐久性(10 11 サイクル)、高い最終残留分極2P R (1.8MV/cmで2P R =30μC/cm 2)およびウェイクアップを低減した ...

独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【部門長 伊藤 順司】は、1個のトランジスタだけでメモリになることが期待される強誘電体ゲート電界効果トランジスタ（1Tr型FeRAM又は 1Tr型強誘電 ...

Wio BG770Aの研究シリーズでは、Seeed社のLTE-M対応IoT開発ボードWio BG770Aについて、調査・検証した内容を共有しています。今回は、サンプルコードを通し、FeRAMの使い方と、FreeRTOSを活用して複数データをまとめて送信する仕組みを理解することを目指します。

同社は2011年よりFeRAMシリーズを展開してきたが、同製品は、ロームのローパワー対応の強誘電体搭載プロセス技術と、低電圧下でのメモリ選択トランジスタのゲート電位を確保することにより、最低動作電圧1.8Vを実現しており、ニッケル水素充電池2個でもFeRAMを使用できる。

富士通セミコンダクターメモリソリューション * は、車載や産業機器に向けたFeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）の新製品「MB85RC512LY」（図1）を開発し評価サンプルの提供を始めたと、2023年8月7日に発表したニュースリリース。インターフェースがI 2 CのFeRAMで ...

The Nanoelectronics Research Institute (NERI) of the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) has succeeded in the development of a 1T FeRAM wherein one-bit memory cell ...

韓国のハイニックス半導体社は7日(現地時間)、次世代メモリ『FeRAM』(強誘電体メモリ)の大容量化を進め、4Mビットと8Mビット型の実用化に成功したと発表した。同国のサムスン電子は今年第1四半期中に4Mビット製品を出荷する予定で、大容量の実用化では ...

The Tokyo Institute of Technology, Fujitsu Laboratories, and Fujitsu Limited have jointly developed a new material for non-volatile ferroelectric RAM (FeRAM). The material is a modified composition of ...