前回は、EUVでも普通に露光できるのは5nm世代まで、という話をした。今回は、ダブルパターニングとSculptaという新技法を解説しよう。 ちなみにTSMCはN5のプロセスジオメトリー(Contact Poly PitchやFin Pitchなど)を一切説明しておらず、ただN7世代と比較するとSRAM ...

ニコンはダブルパターニングを量産プロセスに適用することが可能な液浸ArF露光装置(スキャナ)「NSR-S620」を2009年第4四半期から提供することを発表した。 同製品は、従来装置で培った同社の液浸技術「ローカルフィルノズル」と「タンデムステージ」を進化 ...

露光装置メーカーASMLの子会社であるBrion Technologiesは26日、同社の計算機リソグラフィプラットフォーム「Tachyon」の性能を向上させた「Tachyon 2.5」を発表した。また、併せてArF液浸リソグラフィのダブルパターニング用ソリューション「Tachyon DPT」を発表した。

16/14nmプロセスのGPU設計の焦点となる配線層(メタルレイヤスタック) GPUは4年振りにプロセス技術の刷新を迎えている。28nm ...

・最先端ロジックチップメーカー各社との協業により、Sculpta(R)パターンシェーピング技術の応用分野を拡大 ・ EUVおよび高NA EUVリソグラフィを用いたチップ製造を補完・改善する革新的なエッチング装置とCVDパターニング膜、計測ソリューションを発表 ...

ASMLの子会社であるブライオンテクノロジーズインコーポレイテッド(以下、「ブライオン」)は主力製品Tachyon計算機リソグラフィープラットフォームを更に性能向上させたTachyon2.5を発表しました。ブライオンはさらに、先端ダブルパターニング用のTachyonDPTの ...

アプライド マテリアルズが昨年のSPIEリソグラフィカンファレンスで発表したCentura (R) Sculpta (R)パターニングシステムは、形成されたパターンの先端を伸長加工することで、EUVまたは高NA EUVの1回露光で実現できるよりも突き合わせパターン部を近づけることができます。これによりEUVダブル ...